Компания IXYS представляет новые высоковольтные транзисторы BiMOSFET на напряжение 2500 и 3000В.

   Высоковольтные HV BiMOSFET транзисторы имеют блокирующим напряжением до 3 кВ с током коллектора до 130А и имеют быстродействующий встроенный диод. Новое семейство транзисторов компании IXYS может найти применение в таких приложениях, как коммутаторы переменного напряжения, выключатели, импульсные модуляторы для радаров, импульсные источники питания, схемы заряда конденсаторов, а также  генераторы лазеров и рентгеновского излучения.

   Благодаря положительным температурным коэффициентам прямого падения Vce(sat) транзистора и прямого напряжения падения на диоде, можно применять новые HV BiMOSFET в параллельном включении. Более того, встроенный диод может быть эффективно использован при работе на индуктивную нагрузку во время закрытия транзистора, благодаря высокой устойчивости к di/dt.

   Семейство HV BiMOSFET компании IXYS является хорошим кандидатом для приложений с высоким напряжением и большим током, где ранее использовались традиционные MOSFET в параллельном включении для преодоления ограничений по току коммутации. Такое решение уменьшает количество силовых компонентов, упрощает схему управления и увеличивает надёжность оборудования при снижении его стоимости.

   Транзисторы HV BiMOSFET доступны в различных стандартных промышленных корпусах, включая TO-268, TO-247, TO-264 и PLUS247. Новые продукты выпускаются также в изолированных корпусах семейства ISOPLUS компании IXYS с напряжением изоляции до 3000В, которые обеспечивают превосходные тепловые характеристики.

   Некоторые представители нового семейства: IXBH2N250, IXBK64N250, IXBF20N300, IXBH32N300, IXBX55N300.

Дополнительная информация доступна на www.ixyspower.com