MOSFET-транзисторы являются одними из самых востребованных элементов в современной электронике. Американская компания IXYS – один из мировых лидеров в области производства силовых MOSFET-транзисторов. С недавнего времени флагманской линейкой компании стало семейство транзисторов Q3 HiPerFET Power MOSFET. Развитие линейки Q3, анонсированной еще в 2010 году, по-прежнему продолжается. Семейство Q3 объединяет мощные надёжные N-канальные транзисторы с пониженным сопротивлением открытого канала Rds(on), низким зарядом затвора Qg и малыми потерями. Все транзисторы в линейке содержат встроенный обратный диод, что дополнительно снижает потери при переключении и позволяет использовать транзисторы для высокочастотных задач.
Особенности транзисторов линейки Q3 HiPerFET Power MOSFET:
Транзисторы в линейке Q3 выполнены в корпусах с улучшенным теплоотводом: величина теплового сопротивления «кристалл-корпус» Rthjc достигает 0.08°С/Вт.
Транзисторы Q3 так же доступны в корпусах с электроизолированным основанием, выполненные на керамической плате по технологии DCB. Предельное напряжение изоляции керамической платы составляет 2.5 кВ, а конструкция транзисторов отличается повышенной стойкостью к термоциклированию.
Области применения транзисторов Q3 HiPerFET Power MOSFET:
Очередное обновление добавило в линейку Q3 шесть новых транзисторов:
Обозначение |
Vdss, (V) |
Id25, (A) |
Корпус |
IXFH70N20Q3 |
200 |
70 |
TO-247 |
IXFT50N30Q3 |
300 |
50 |
TO-268 |
IXFB100N50Q3 |
500 |
100 |
PLUS264 |
IXFK64N60Q3 |
600 |
64 |
TO-264 |
IXFN62N80Q3 |
800 |
49 |
SOT-227 |
IXFB44N100Q3 |
1000 |
44 |
PLUS264 |
Все транзисторы доступны для заказа, возможно предоставление образцов под проект.
Линейка Q3 HiPerFET Power MOSFET – одна из наиболее активно развиваемых в семействе N-канальных Power MOSFET транзисторов IXYS.