Главная / Новости / Новости "IXYS" / IXRFSM12N100 и IXRFSM18N50 - новые высокочастотные Mosfet-транзисторы серии SMPD в корпусах с низким профилем, от компании IXYS Colorado.

IXRFSM12N100 и IXRFSM18N50 - новые высокочастотные Mosfet-транзисторы серии SMPD в корпусах с низким профилем, от компании IXYS Colorado.

26.09.2017 | IXYS

      Компания IXYS Colorado объявила о доступности новых сверхбыстрых MOSFET-транзисторов в низкоиндуктивном компактном корпусе. Семейство изолированных корпусов серии SMPD (Surface Mount Power Device) позволяет применять эти силовые MOSFET на платах с поверхностным монтажом. Это увеличивает скорость сборки за счет автоматической пайки, а также уменьшает размеры изделия. Первыми серийно доступными транзисторами являются IXRFSM12N100 (1000V, 12A) и IXRFSM18N50 (500V, 19 A).

    

Характеристики:

p/n: VDSS, V ID25, А IDM, А PDC, W RDS(on), Ом Ciss, pF td(on), ns tr, ns td(off), ns tf, ns trr, ns
IXRFSM12N100 1000 12 72 940 1.05  2500 5 3 5 8 200
IXRFSM18N50 500 19 95 835 0.34 1950 4 4 5 6 200

Особенности и преимущества:

  • низкий RDS_ON
  • очень быстрое переключение (ton/toff =3/8 ns)
  • очень низкая индуктивность (менее 2 нГн)
  • низкий заряд и емкость затвора 
  • простое управление затвором
  • диапазон температур -55°С..+150°С 
  • улучшенная теплопередача 
  • высокая плотность мощности
  • изолированное основание
  • высокое напряжение изоляции (>2500 В)
  • возможность автоматической пайки

Области применения:

  • резонансные источники питания 
  • радиочастотные передатчики 
  • мощные лазеры
  • генераторы импульсов
  • высокочастотные усилители мощности

Документация: