29.10.2008 | ON Semiconductor
Компания ON Semiconductor представляет новые компоненты электростатической (ESD) защиты для цепей высокоскоростной передачи данных USB 2.0 high speed (480 Mb/s) и HDMI (1.65 Gb/s) в миниатюрных корпусах. NUP4016 - четырехлинейная суппрессорная сборка с паразитной емкостью 0.5 pF и в корпусе SOT-953.01.09.2008 | ON Semiconductor
Компания ON Semiconductor приступила к выпуску новой серии NP−SCMC тиристорных элементов защиты цепей (TSPD). Это двунаправленные приборы с напряжением срабатывания от 64 до 150 V и имееют низкую собственную емкость.27.08.2008 | ON Semiconductor
NCP1034DR2G новый синхронизируемый высоковольтный ШИМ контроллер от ON Semiconductor®. Предназначен для реализации высоковольтного DC/DC Buck ковертора, с использованием двух внешних MOSFET транзисторов. Частота коммутации может регулироваться от 25 до 500 KHz или задаваться внешним генератором. Выходное напряжение регулируемое, точность поддерживает внутренний источник опорного напряжения на 1.25 V.14.08.2008 | ON Semiconductor
17 июля 2008 года объявлено о слиянии ON Semiconductor и Catalyst Semiconductor, Inc. ON Semiconductor выкупит акции Catalyst Semiconductor, Inc. за 85 M$. Сделка будет завершена в четвертом квартале 2008 года.05.08.2008 | ON Semiconductor
Компания ON Semiconductor начала выпуск сдвоенных супрессорных диодов ESD7L5.0DT5G для ESD защиты высоскоростных цепей передачи данных (USB 2.0 или подобных). Особенности:18.07.2008 | ON Semiconductor
Компания ON Semiconductor предлагает новый SPST ключ NLAS5113 для портативных приложений, с ультронизким сопротивлением в открытом состоянии. Основные характиристики:18.07.2008 | ON Semiconductor
Компания ON Semiconductor предлагает четырех-линейный супрессор (подавитель переходных процессов) NUP4212UPMUTAG для сдвоенного USB 2.0 порта, с низкой паразитной емкостью, что позволяет передавать данные с максимальной скоростью. Основные параметры:26.06.2008 | ON Semiconductor
Компания ON Semiconductor приступила к выпуску сдвоенных биполярных транзисторов (40 V, 6 A) NSS40301MDR2G (NPN пара) и NSS40300MDR2G (PNP пара). Транзисторы выполнены по технологии e2PowerEdge, идентичны по параметрам и имеют низкое напряжение насыщения VCE(sat) .23.06.2008 | ON Semiconductor
Компания ON Semiconductor приступила к выпуску новой 30V комплементарной пары MOSFET транзисторов NTGD4167CT1G в миниатюрном корпусе TSOP-6. Основные параметры:23.06.2008 | ON Semiconductor
Компания ON Semiconductor начала выпуск новых сборок биполярных транзисторов. Сборки включают в себя различные комбинации NPN и PNP обычных и транзисторов с логическим управлением. Данные комбинации позволяют сократить число элементов на печатной плате. Все сборки выполнены в корпусе SC-88/SOT363.